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DMN2075U
1.4
10
1.2
8
1.0
0.8
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
6
4
T A = 25°C
0.4
2
0.2
0
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
C iss
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
100
C rss
C oss
10
1
T A = 85°C
T A = 25°C
f = 1MHz
T A = -55°C
10
0
4 8 12 16
20
0.1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
Duty Cycle, D = t 1 2
0.01
0.001
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 157°C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMN2075U
Document number: DS31837 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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